TPCA8045-H,796-5121,Toshiba TPC 系列 Si N沟道 MOSFET TPCA8045-H, 46 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装 ,Toshiba
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TPCA8045-H
Toshiba TPC 系列 Si N沟道 MOSFET TPCA8045-H, 46 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
制造商零件编号:
TPCA8045-H
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
796-5121
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TPCA8045-H产品详细信息
MOSFET N 通道,TPCAxxxx,Toshiba
TPCA8045-H产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 5 x 0.95mm
典型关断延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
15 ns
典型输入电容值@Vds
5800 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
90 nC @ 10 V
封装类型
SOP 高级
高度
0.95mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
TPC
引脚数目
8
最大功率耗散
45 W
最大连续漏极电流
46 A
最大漏源电压
40 V
最大漏源电阻值
4.1 mΩ
最大栅阈值电压
2.3V
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
TPCA8045-H相关搜索
安装类型 表面贴装
Toshiba 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 5mm
Toshiba 长度 5mm
MOSFET 晶体管 长度 5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 5mm
尺寸 5 x 5 x 0.95mm
Toshiba 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 5 x 0.95mm
典型关断延迟时间 67 ns
Toshiba 典型关断延迟时间 67 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 67 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 15 ns
Toshiba 典型接通延迟时间 15 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns
典型输入电容值@Vds 5800 pF @ 10 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 5800 pF @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5800 pF @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5800 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V
封装类型 SOP 高级
Toshiba 封装类型 SOP 高级
MOSFET 晶体管 封装类型 SOP 高级
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 SOP 高级
高度 0.95mm
Toshiba 高度 0.95mm
MOSFET 晶体管 高度 0.95mm
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晶体管材料 Si
Toshiba 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 5mm
Toshiba 宽度 5mm
MOSFET 晶体管 宽度 5mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 5mm
类别 功率 MOSFET
Toshiba 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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系列 TPC
Toshiba 系列 TPC
MOSFET 晶体管 系列 TPC
Toshiba MOSFET 晶体管 系列 TPC
引脚数目 8
Toshiba 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 45 W
Toshiba 最大功率耗散 45 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 45 W
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 45 W
最大连续漏极电流 46 A
Toshiba 最大连续漏极电流 46 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 46 A
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最大漏源电压 40 V
Toshiba 最大漏源电压 40 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V
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最大漏源电阻值 4.1 mΩ
Toshiba 最大漏源电阻值 4.1 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.1 mΩ
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最大栅阈值电压 2.3V
Toshiba 最大栅阈值电压 2.3V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.3V
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最大栅源电压 ±20 V
Toshiba 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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TPCA8045-H产品技术参数资料
TPCA8045-H, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVI-H) Data Sheet
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