TK100E08N1,796-5077,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E08N1, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装 ,Toshiba
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TK100E08N1
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E08N1, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
TK100E08N1
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
796-5077
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TK100E08N1产品详细信息
TK100E08N1产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.16mm
尺寸
10.16 x 4.45 x 15.1mm
典型关断延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
53 ns
典型输入电容值@Vds
9000 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs
130 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
15.1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.45mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
TK
引脚数目
3
最大功率耗散
255 W
最大连续漏极电流
214 A
最大漏源电压
80 V
最大漏源电阻值
3.2 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
TK100E08N1配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad K6 电子散热垫 SPK6-0.006-00-54, 1.1W/m·K, 19.05 x 12.7mm, 0.152mm厚
制造商零件编号:
SPK6-0.006-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3355
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尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm
Toshiba 尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm
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典型关断延迟时间 140 ns
Toshiba 典型关断延迟时间 140 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns
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典型接通延迟时间 53 ns
Toshiba 典型接通延迟时间 53 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 53 ns
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典型输入电容值@Vds 9000 pF @ 40 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 9000 pF @ 40 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 9000 pF @ 40 V
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典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V
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封装类型 TO-220
Toshiba 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
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TK100E08N1产品技术参数资料
TK100E08N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
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