TK100E10N1,796-5070,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E10N1, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装 ,Toshiba
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E10N1, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
TK100E10N1
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
796-5070
Toshiba TK100E10N1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

TK100E10N1产品详细信息

TK100E10N1产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.16mm  
  尺寸  10.16 x 4.45 x 15.1mm  
  典型关断延迟时间  140 ns  
  典型接通延迟时间  59 ns  
  典型输入电容值@Vds  8800 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  140 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TK  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  255 W  
  最大连续漏极电流  207 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  3.4 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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