STP360N4F6,792-6085,STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP360N4F6, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STP360N4F6
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP360N4F6, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
STP360N4F6
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
792-6085
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STP360N4F6产品详细信息
N 通道 STripFET? DeepGate?,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STP360N4F6产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型输入电容值@Vds
17930 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
340 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
15.75mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
DeepGate, STripFET
引脚数目
3
最大功率耗散
300 W
最大连续漏极电流
120 A
最大漏源电压
40 V
最大漏源电阻值
1.8 mΩ
最大栅阈值电压
4.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
3V
关键词
STP360N4F6配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad K6 电子散热垫 SPK6-0.006-00-54, 1.1W/m·K, 19.05 x 12.7mm, 0.152mm厚
制造商零件编号:
SPK6-0.006-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3355
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典型输入电容值@Vds 17930 pF @ 25 V
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典型栅极电荷@Vgs 340 nC @ 10 V
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MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 340 nC @ 10 V
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封装类型 TO-220
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MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
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高度 15.75mm
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V
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STP360N4F6产品技术参数资料
STI360N4F6, STP360N4F6, N-Channel 40V, 120A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in I2PAK and TO-220 packages Data Sheet
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