关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	10.4mm
尺寸	10.4 x 15.8 x 4.8mm
典型输入电容值@Vds	20000 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	377 nC @ 10 V
封装类型	H2PAK-2
高度	4.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	15.8mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	DeepGate, STripFET
引脚数目	3
最大功率耗散	300 W
最大连续漏极电流	180 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	1.15 mΩ
最大栅阈值电压	4.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 15.8 x 4.8mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 15.8 x 4.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 15.8 x 4.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 15.8 x 4.8mm   典型输入电容值@Vds 20000 pF @ 25 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 20000 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 20000 pF @ 25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 20000 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 377 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 377 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 377 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 377 nC @ 10 V   封装类型 H2PAK-2  STMicroelectronics 封装类型 H2PAK-2  MOSFET 晶体管 封装类型 H2PAK-2  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 H2PAK-2   高度 4.8mm  STMicroelectronics 高度 4.8mm  MOSFET 晶体管 高度 4.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.8mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 15.8mm  STMicroelectronics 宽度 15.8mm  MOSFET 晶体管 宽度 15.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 15.8mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 DeepGate, STripFET  STMicroelectronics 系列 DeepGate, STripFET  MOSFET 晶体管 系列 DeepGate, STripFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 DeepGate, STripFET   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 300 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 300 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 W   最大连续漏极电流 180 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 180 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 180 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 180 A   最大漏源电压 40 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 1.15 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 1.15 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.15 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.15 mΩ   最大栅阈值电压 4.5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V   最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  

• STH400N4F6-2, STH400N4F6-6, N-Channel 40V, 180A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Data Sheet