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安装类型	表面贴装
长度	15.8mm
典型关断延迟时间	205 ns
典型接通延迟时间	20 ns
典型输入电容值@Vds	8130 pF@ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	180 nC
封装类型	H2PAK-2
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	DeepGate, STripFET
引脚数目	3
最大功率耗散	150 W
最大连续漏极电流	120 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	3.2 mΩ
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• Products and solutions for factory automation and control data sheet
• N-channel 40 V, 120 A, STripFET VI Datasheet