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安装类型	表面贴装
长度	10.4mm
尺寸	10.4 x 15.8 x 4.8mm
典型关断延迟时间	82 ns
典型接通延迟时间	26 ns
典型输入电容值@Vds	6340 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs	96 nC @ 10 V
封装类型	H2PAK
高度	4.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	15.8mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET H7
引脚数目	3
最大功率耗散	200 W
最大连续漏极电流	90 A
最大漏源电压	80 V
最大漏源电阻值	4 mΩ
最大栅阈值电压	4.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2.5V
关键词

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• STF140N8F7, STH140N8F7-2, STP140N8F7, N-Channel 80V, 3.3mOhm typ., 90A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220 packages Data Sheet