STF25N10F7,792-5741,STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF25N10F7, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF25N10F7, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号：
STF25N10F7
库存编号：
792-5741
STMicroelectronics STF25N10F7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STF25N10F7产品详细信息

N 通道 STripFET? H7 系列，STMicroelectronics

STripFET? MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STF25N10F7产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 16.4mm  
  典型关断延迟时间  14.8 ns  
  典型接通延迟时间  9.8 ns  
  典型输入电容值@Vds  920 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  16.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET H7  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  25 W  
  最大连续漏极电流  25 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  35 mΩ  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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