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安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型关断延迟时间	36 ns
典型接通延迟时间	16.5 ns
典型输入电容值@Vds	175 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	10.5 nC @ 10 V
封装类型	DPAK
高度	2.4mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.2mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh K5, SuperMESH5
引脚数目	3
最大功率耗散	60 W
最大连续漏极电流	3 A
最大漏源电压	800 V
最大漏源电阻值	2.5 Ω
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

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• STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, N-Channel 800V, 2.1 Ohm typ., 3A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet