STF13NM60ND,791-9314,STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,STMicroelectronics
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STF13NM60ND
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号:
STF13NM60ND
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
791-9314
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STF13NM60ND产品详细信息
N 通道 FDmesh? 功率 MOSFET,STMicroelectronics
STF13NM60ND产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.6mm
尺寸
10.6 x 4.6 x 16.4mm
典型关断延迟时间
9.6 ns
典型接通延迟时间
46.5 ns
典型输入电容值@Vds
845 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
24.5 nC @ 10 V
封装类型
TO-220FP
高度
16.4mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
FDmesh
引脚数目
3
最大功率耗散
25 W
最大连续漏极电流
11 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
380 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±25 V
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
3V
关键词
STF13NM60ND相关搜索
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.6mm
STMicroelectronics 长度 10.6mm
MOSFET 晶体管 长度 10.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.6mm
尺寸 10.6 x 4.6 x 16.4mm
STMicroelectronics 尺寸 10.6 x 4.6 x 16.4mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.6 x 4.6 x 16.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.6 x 4.6 x 16.4mm
典型关断延迟时间 9.6 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 9.6 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 9.6 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 9.6 ns
典型接通延迟时间 46.5 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 46.5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 46.5 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 46.5 ns
典型输入电容值@Vds 845 pF @ 50 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 845 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 845 pF @ 50 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 845 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 24.5 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 24.5 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 24.5 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 24.5 nC @ 10 V
封装类型 TO-220FP
STMicroelectronics 封装类型 TO-220FP
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
高度 16.4mm
STMicroelectronics 高度 16.4mm
MOSFET 晶体管 高度 16.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 16.4mm
晶体管材料 Si
STMicroelectronics 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 FDmesh
STMicroelectronics 系列 FDmesh
MOSFET 晶体管 系列 FDmesh
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 FDmesh
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 25 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 25 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 25 W
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 25 W
最大连续漏极电流 11 A
STMicroelectronics 最大连续漏极电流 11 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A
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最大漏源电压 600 V
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MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V
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最大漏源电阻值 380 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 380 mΩ
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最大栅阈值电压 5V
STMicroelectronics 最大栅阈值电压 5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V
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最大栅源电压 ±25 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V
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最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 3V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V
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STF13NM60ND产品技术参数资料
Power MOSFET Nchannel FDmesh II 600V 11A Data Sheet
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