STR2N2VH5,791-7876,STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STR2N2VH5, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装 ,STMicroelectronics
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STR2N2VH5
STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STR2N2VH5, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
STR2N2VH5
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
791-7876
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STR2N2VH5产品详细信息
N 通道 STripFET? V,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STR2N2VH5产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.04mm
尺寸
3.04 x 1.75 x 1.3mm
典型输入电容值@Vds
550 pF @ 16 V
典型栅极电荷@Vgs
6 nC @ 4.5 V
封装类型
SOT-23
高度
1.3mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.75mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
STripFET V
引脚数目
3
最大功率耗散
350 mW
最大连续漏极电流
2.3 A
最大漏源电压
20 V
最大漏源电阻值
40 mΩ
最大栅源电压
±8 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.7V
关键词
STR2N2VH5相关搜索
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 3.04mm
STMicroelectronics 长度 3.04mm
MOSFET 晶体管 长度 3.04mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 3.04mm
尺寸 3.04 x 1.75 x 1.3mm
STMicroelectronics 尺寸 3.04 x 1.75 x 1.3mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.75 x 1.3mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.75 x 1.3mm
典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 550 pF @ 16 V
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V
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封装类型 SOT-23
STMicroelectronics 封装类型 SOT-23
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
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高度 1.3mm
STMicroelectronics 高度 1.3mm
MOSFET 晶体管 高度 1.3mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 1.3mm
晶体管材料 Si
STMicroelectronics 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 1.75mm
STMicroelectronics 宽度 1.75mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 1.75mm
类别 功率 MOSFET
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MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
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通道模式 增强
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系列 STripFET V
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STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET V
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 350 mW
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最大连续漏极电流 2.3 A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.3 A
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最大漏源电压 20 V
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MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
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最大漏源电阻值 40 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ
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最大栅源电压 ±8 V
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最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 0.7V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 0.7V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V
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STR2N2VH5产品技术参数资料
N-Channel 20V, 0.025 Ohm typ., 5A STripFET V Power MOSFET in SOT-23 and SOT23-6L Packages Data Sheet
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