关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	10.4mm
尺寸	10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型关断延迟时间	23.7 ns
典型接通延迟时间	11.3 ns
典型输入电容值@Vds	360 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	13.4 nC @ 10 V
封装类型	TO-220
高度	15.75mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh K5, SuperMESH5
引脚数目	3
最大功率耗散	110 W
最大连续漏极电流	6 A
最大漏源电压	800 V
最大漏源电阻值	1.2 Ω
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm   典型关断延迟时间 23.7 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 23.7 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 23.7 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 23.7 ns   典型接通延迟时间 11.3 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 11.3 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.3 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.3 ns   典型输入电容值@Vds 360 pF @ 100 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 360 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 360 pF @ 100 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 360 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 13.4 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 13.4 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13.4 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13.4 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  STMicroelectronics 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.75mm  STMicroelectronics 高度 15.75mm  MOSFET 晶体管 高度 15.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 15.75mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh K5, SuperMESH5  STMicroelectronics 系列 MDmesh K5, SuperMESH5  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh K5, SuperMESH5  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh K5, SuperMESH5   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 110 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 110 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 110 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 110 W   最大连续漏极电流 6 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A   最大漏源电压 800 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 800 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V   最大漏源电阻值 1.2 Ω  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 1.2 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 Ω  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 Ω   最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  

• STx7N80K5, N-channel 800V, 0.95 Ohm, 6A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs