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安装类型	表面贴装
长度	2.1mm
尺寸	2.1 x 2.1 x 0.75mm
典型关断延迟时间	9.4 ns
典型接通延迟时间	4.8 ns
典型输入电容值@Vds	283 pF @ 24 V
典型栅极电荷@Vgs	3.6 nC @ 4.5 V
封装类型	PowerFLAT
高度	0.75mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	DeepGate, STripFET
引脚数目	6
最大功率耗散	2.4 W
最大连续漏极电流	6 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	40 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• N-Channel 30V, 0.021 Ohm typ., 6A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 Package Data Sheet