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安装类型	表面贴装
长度	3.04mm
尺寸	3.04 x 1.4 x 1.01mm
典型关断延迟时间	38 ns
典型接通延迟时间	7.4 ns
典型输入电容值@Vds	1173 pF @ -4 V
典型栅极电荷@Vgs	12 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-23
高度	1.01mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	960 mW
最大连续漏极电流	3.7 A
最大漏源电压	8 V
最大漏源电阻值	120 mΩ
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.04mm  ON Semiconductor 长度 3.04mm  MOSFET 晶体管 长度 3.04mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3.04mm   尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm  ON Semiconductor 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm   典型关断延迟时间 38 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 38 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns   典型接通延迟时间 7.4 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 7.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.4 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.4 ns   典型输入电容值@Vds 1173 pF @ -4 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1173 pF @ -4 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1173 pF @ -4 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1173 pF @ -4 V   典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-23  ON Semiconductor 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.01mm  ON Semiconductor 高度 1.01mm  MOSFET 晶体管 高度 1.01mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.01mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  ON Semiconductor 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  ON Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 960 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 960 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 960 mW  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 960 mW   最大连续漏极电流 3.7 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 3.7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.7 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.7 A   最大漏源电压 8 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 8 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 8 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 8 V   最大漏源电阻值 120 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 120 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 120 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 120 mΩ   最大栅阈值电压 1V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±8 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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