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安装类型	表面贴装
长度	2.2mm
尺寸	2.2 x 1.35 x 0.9mm
典型关断延迟时间	55.8 ns
典型接通延迟时间	12.2 ns
典型输入电容值@Vds	24.5 pF @ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-323
高度	0.9mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.35mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	330 mW
最大连续漏极电流	340 mA
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	2.5 Ω
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.2mm  ON Semiconductor 长度 2.2mm  MOSFET 晶体管 长度 2.2mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2.2mm   尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm  ON Semiconductor 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm   典型关断延迟时间 55.8 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 55.8 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55.8 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55.8 ns   典型接通延迟时间 12.2 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 12.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12.2 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12.2 ns   典型输入电容值@Vds 24.5 pF @ 20 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 24.5 pF @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 24.5 pF @ 20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 24.5 pF @ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-323  ON Semiconductor 封装类型 SOT-323  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-323  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-323   高度 0.9mm  ON Semiconductor 高度 0.9mm  MOSFET 晶体管 高度 0.9mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.9mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.35mm  ON Semiconductor 宽度 1.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 330 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 330 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 330 mW  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 330 mW   最大连续漏极电流 340 mA  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 340 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 340 mA  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 340 mA   最大漏源电压 60 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 2.5 Ω  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 2.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.5 Ω  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.5 Ω   最大栅阈值电压 2.5V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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