DMP6180SK3-13,790-4625,DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP6180SK3-13, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装 ,DiodesZetex
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DMP6180SK3-13
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP6180SK3-13, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号:
DMP6180SK3-13
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
790-4625
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMP6180SK3-13产品详细信息
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
DMP6180SK3-13产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.7mm
尺寸
6.7 x 6.2 x 2.39mm
典型关断延迟时间
30.9 ns
典型接通延迟时间
5.9 ns
典型输入电容值@Vds
984.7 pF @ -30 V
典型栅极电荷@Vgs
17.1 nC @ 10 V
封装类型
TO-252
高度
2.39mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.2mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
1.7 W, 2.7 W, 40 W
最大连续漏极电流
14 A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
140 mΩ
最大栅阈值电压
2.7V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
DMP6180SK3-13配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.7mm
DiodesZetex 长度 6.7mm
MOSFET 晶体管 长度 6.7mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.7mm
尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm
DiodesZetex 尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm
典型关断延迟时间 30.9 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 30.9 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30.9 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30.9 ns
典型接通延迟时间 5.9 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 5.9 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.9 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.9 ns
典型输入电容值@Vds 984.7 pF @ -30 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 984.7 pF @ -30 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 984.7 pF @ -30 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 984.7 pF @ -30 V
典型栅极电荷@Vgs 17.1 nC @ 10 V
DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 17.1 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17.1 nC @ 10 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17.1 nC @ 10 V
封装类型 TO-252
DiodesZetex 封装类型 TO-252
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252
高度 2.39mm
DiodesZetex 高度 2.39mm
MOSFET 晶体管 高度 2.39mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 2.39mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.2mm
DiodesZetex 宽度 6.2mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
DiodesZetex 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 1.7 W, 2.7 W, 40 W
DiodesZetex 最大功率耗散 1.7 W, 2.7 W, 40 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W, 2.7 W, 40 W
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W, 2.7 W, 40 W
最大连续漏极电流 14 A
DiodesZetex 最大连续漏极电流 14 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A
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最大漏源电压 60 V
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MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
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最大漏源电阻值 140 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 140 mΩ
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最大栅阈值电压 2.7V
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.7V
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最大栅源电压 ±20 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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DMP6180SK3-13产品技术参数资料
DMP6180SK3 60V P-channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
Datasheet
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