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安装类型	通孔
长度	10.7mm
尺寸	10.7 x 4.85 x 16.5mm
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	15.1 ns
典型输入电容值@Vds	900 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	13.5 nC @ 10 V
封装类型	TO-220
高度	16.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.85mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	2.19 W, 9.14 W
最大连续漏极电流	4 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	3 Ω
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  DiodesZetex 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.7mm  DiodesZetex 长度 10.7mm  MOSFET 晶体管 长度 10.7mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 10.7mm   尺寸 10.7 x 4.85 x 16.5mm  DiodesZetex 尺寸 10.7 x 4.85 x 16.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.7 x 4.85 x 16.5mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 10.7 x 4.85 x 16.5mm   典型关断延迟时间 40 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 40 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns   典型接通延迟时间 15.1 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 15.1 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15.1 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15.1 ns   典型输入电容值@Vds 900 pF@ 25 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 900 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 900 pF@ 25 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 900 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  DiodesZetex 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 16.5mm  DiodesZetex 高度 16.5mm  MOSFET 晶体管 高度 16.5mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 16.5mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.85mm  DiodesZetex 宽度 4.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.85mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 4.85mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  DiodesZetex 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 2.19 W, 9.14 W  DiodesZetex 最大功率耗散 2.19 W, 9.14 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.19 W, 9.14 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.19 W, 9.14 W   最大连续漏极电流 4 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A   最大漏源电压 650 V  DiodesZetex 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 3 Ω  DiodesZetex 最大漏源电阻值 3 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω   最大栅阈值电压 5V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±30 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• DMG4N65CT N-channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet