SQJ850EP-T1_GE3,787-9500,Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装 ,Vishay
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装

制造商零件编号：
SQJ850EP-T1_GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9500
Vishay SQJ850EP-T1_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SQJ850EP-T1_GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技术
• 创新型节省空间封装选项

认可

AEC-Q101

SQJ850EP-T1_GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 5.03 x 1.14mm  
  典型关断延迟时间  22 ns  
  典型接通延迟时间  21 ns  
  典型输入电容值@Vds  980 pF @ 30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  20 nC @ 10 V  
  封装类型  PowerPAK SO-8L  
  高度  1.14mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.03mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SQ Rugged  
  引脚数目  5  
  最大功率耗散  45 W  
  最大连续漏极电流  24 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  51 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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