SQD23N06-31L_GE3,787-9487,Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装 ,Vishay
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
SQD23N06-31L_GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9487
Vishay SQD23N06-31L_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SQD23N06-31L_GE3
库存编号:SQD23N06-31L_GE3DKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 23A TO2523430
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SQD23N06-31L_GE3
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SQD23N06-31L_GE3
库存编号:SQD23N06-31L_GE3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 23A TO2522000
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SQD23N06-31L_GE3
库存编号:781-SQD23N06-31L_GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified1995
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SQD23N06-31L_GE3
库存编号:SQD23N06-31L-GE3		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SQD23N06-31L-GE3)0
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SQD23N06-31L_GE3
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SQD23N06-31L_GE3
库存编号:3772861RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 60V, 23A, TO-2524218
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SQD23N06-31L_GE3
库存编号:3772861		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 60V, 23A, TO-2524218
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SQD23N06-31L-GE3
库存编号:SQD23N06-31L-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD20
2000起订		2000+
￥9.18
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SQD23N06-31L-GE3 Vishay Intertechnologies POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 23A I(D), 60V, 0.031OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252424
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SQD23N06-31L-GE3 Vishay Intertechnologies POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 23A I(D), 60V, 0.031OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252 (Also Known As: SQD23N06-31L_GE3)424
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SQD23N06-31L-GE3 Vishay Intertechnologies POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 23A I(D), 60V, 0.031OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252 (Also Known As: SQD23N06-31L_GE3)120
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SQD23N06-31L-GE3 Vishay Intertechnologies POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 23A I(D), 60V, 0.031OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252120
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SQD23N06-31L_GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技术
• 创新型节省空间封装选项

认可

AEC-Q101

SQD23N06-31L_GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.38mm  
  典型关断延迟时间  14 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns  
  典型输入电容值@Vds  674 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  16 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.38mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  每片芯片元件数目  1  
  汽车标准  AEC-Q101  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SQ Rugged  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  37 W  
  最大连续漏极电流  23 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  70 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
关键词         

SQD23N06-31L_GE3相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Vishay 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm   典型关断延迟时间 14 ns  Vishay 典型关断延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns   典型接通延迟时间 6 ns  Vishay 典型接通延迟时间 6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns   典型输入电容值@Vds 674 pF@ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 674 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 674 pF@ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 674 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Vishay 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.38mm  Vishay 高度 2.38mm  MOSFET 晶体管 高度 2.38mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.38mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Vishay 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   汽车标准 AEC-Q101  Vishay 汽车标准 AEC-Q101  MOSFET 晶体管 汽车标准 AEC-Q101  Vishay MOSFET 晶体管 汽车标准 AEC-Q101   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SQ Rugged  Vishay 系列 SQ Rugged  MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged  Vishay MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 37 W  Vishay 最大功率耗散 37 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 37 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 37 W   最大连续漏极电流 23 A  Vishay 最大连续漏极电流 23 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A   最大漏源电压 60 V  Vishay 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 70 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 70 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 70 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 70 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.5V  Vishay 最小栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  
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型号 制造商 描述 操作
SQD23N06-31L_GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A TO252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SQD23N06-31L_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

RoHS: Compliant

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SQD23N06-31L-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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SQD23N06-31L_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SQD23N06-31L-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SQD23N06-31L_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SQD23N06-31L_GE3)

RoHS: Compliant

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SQD23N06-31L_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK (Alt: SQD23N06-31L_GE3)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SQD23N06-31L-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

SQD23N06 Series 60 V 23 A 31 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TO-252-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SQD23N06-31L-GE3
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MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SQD23N06-31L-GE3
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Vishay Siliconix - SQD23N06-31L_GE3 - MOSFET N-CH 60V 23A TO252		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：SQD23N06-31L_GE3
仓库库存编号：SQD23N06-31L_GE3-ND
别名：SQD23N06-31L-GE3 <br>SQD23N06-31L-GE3-ND <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SQD23N06-31L_GE3 - Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
SQD23N06-31L_GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9487
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SQD23N06-31L-GE3|VISHAY SILICONIXSQD23N06-31L-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET N-CH D-S 60V TO252
Rohs

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SQD23N06-31L-GE3|Vishay SiliconixSQD23N06-31L-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH D-S 60V TO252
Rohs

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SQD23N06-31L-GE3|Vishay SiliconixSQD23N06-31L-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH D-S 60V TO252
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SQD23N06-31L-GE3
VISHAY SQD23N06-31L-GE3		1869906

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 60 V, 0.024 ohm, 10 V, 2 V

 (EN)		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
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