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安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.38mm
典型关断延迟时间	24 ns
典型接通延迟时间	8 ns
典型输入电容值@Vds	1580 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	33 nC @ 10 V
封装类型	TO-252
高度	2.38mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1
汽车标准	AEC-Q101
通道类型	N
通道模式	增强
系列	SQ Rugged
引脚数目	3
最大功率耗散	62 W
最大连续漏极电流	25 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	49 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.5V
关键词

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• SQD25N06-22L, Automotive N-Channel 60V (Drain-Source) 175degC MOSFET Data Sheet