SQ3419EV-T1_GE3,787-9452,Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ3419EV-T1_GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装 ,Vishay
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ3419EV-T1_GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号:
SQ3419EV-T1_GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
787-9452
Vishay SQ3419EV-T1_GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SQ3419EV-T1_GE3产品详细信息

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor

SQ3419EV-T1_GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.7 x 1mm  
  典型关断延迟时间  26 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  850 pF @ -20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  SQ Rugged  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  5 W  
  最大连续漏极电流  7.4 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  78 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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