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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1mm
典型关断延迟时间	26 ns
典型接通延迟时间	9 ns
典型输入电容值@Vds	850 pF @ -20 V
典型栅极电荷@Vgs	10 nC @ 4.5 V
封装类型	TSOP
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.7mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	SQ Rugged
引脚数目	6
最大功率耗散	5 W
最大连续漏极电流	7.4 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	78 mΩ
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.5V
关键词

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• SQ3419EEV, Automotive P-Channel 40V (Drain-Source) 175degC MOSFET Data Sheet