SIHP12N60E-GE3,787-9428,Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
SIHP12N60E-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9428
Vishay SIHP12N60E-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SIHP12N60E-GE3
库存编号:SIHP12N60E-GE3-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB0
1起订		1+
50+
100+
2000+
￥35.76
￥23.69
￥35.76
￥13.55
6-10天询价 询价
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SIHP12N60E-BE3
库存编号:78-SIHP12N60E-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET3920
1起订		1+
10+
25+
100+
500+
1000+
5000+
￥33.21
￥25.53
￥19.74
￥18.32
￥15.49
￥13.71
￥12.77
6-10天购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTMmUE49NzgtU0lIUDEyTjYwRS1CRTM="],"cvcModel":["SIHP12N60E-BE3"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,10,25,100,500,1000,5000,"],"cvcPriceAll":["33.21,25.53,19.74,18.32,15.49,13.71,12.77,"],"maxnum":["3920"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],
SIHP12N60E-E3
库存编号:781-SIHP12N60E-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB2800
1起订		1+
10+
25+
500+
1000+
5000+
￥14.19
￥14.07
￥13.6
￥13.36
￥13.24
￥12.77
6-10天购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTMmUE49NzgxLVNJSFAxMk42MEUtRTM="],"cvcModel":["SIHP12N60E-E3"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,10,25,500,1000,5000,"],"cvcPriceAll":["14.19,14.07,13.6,13.36,13.24,12.77,"],"maxnum":["2800"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],
SIHP12N60E-GE3
库存编号:78-SIHP12N60E-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB281
1起订		1+
25+
500+
1000+
2000+
￥34.63
￥16.31
￥13.6
￥13.48
￥12.77
6-10天购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTMmUE49NzgtU0lIUDEyTjYwRS1HRTM="],"cvcModel":["SIHP12N60E-GE3"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,25,500,1000,2000,"],"cvcPriceAll":["34.63,16.31,13.6,13.48,12.77,"],"maxnum":["281"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"],
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SIHP12N60E-GE3
库存编号:SIHP12N60E-GE3		 Vishay Intertechnologies N-CHANNEL 600V - Tape and Reel (Alt: SIHP12N60E-GE3)0
1000起订		1000+
2000+
4000+
6000+
8000+
￥13.99
￥13.76
￥13.55
￥13.32
￥13.16
1-2周询价 询价
  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SIHP12N60E-GE3
库存编号:76839359		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB0
1000起订		1000+
2000+
5000+
10000+
￥13.09
￥12.82
￥12.71
￥12.67
1-2周询价 询价
SIHP12N60E-GE3
库存编号:87818034		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB0
1000起订		1000+
￥22.62
1-2周询价 询价
  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SIHP12N60E-GE3
库存编号:2283637		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 600V, 12A, TO220AB4888
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
￥21.75
￥19.19
￥15.52
￥14.79
￥13.69
1-2周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTQmUE49MjI4MzYzNw=="],"cvcModel":["SIHP12N60E-GE3"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,10,100,500,1000,"],"cvcPriceAll":["21.75,19.19,15.52,14.79,13.69,"],"maxnum":["4888"],"minnum":["1"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"],

查看资料
  美国6号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SIHP12N60E-BE3
库存编号:SIHP12N60E-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET0
50起订		50+
100+
500+
1000+
2000+
5000+
￥22.67
￥21.02
￥17.31
￥15.39
￥14.98
￥14.7
1-3周询价 询价
SIHP12N60E-GE3
库存编号:SIHP12N60E-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB0
1000起订		1000+
￥14.56
1-3周询价 询价
SIHP12N60E-E3
库存编号:SIHP12N60E-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB0
1000起订		1000+
￥15.94
1-3周询价 询价
  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SIHP12N60E-GE3
库存编号:SIHP12N60E-GE3		 Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 7.8A, Idm: 27A, 147W, TO220AB0
1起订		1+
5+
25+
100+
500+
￥30.74
￥27.73
￥24.45
￥22.02
￥20.59
1-3周询价 询价

SIHP12N60E-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点

低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗

SIHP12N60E-GE3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.51mm  
  尺寸  10.51 x 4.65 x 9.01mm  
  典型关断延迟时间  35 ns  
  典型接通延迟时间  14 ns  
  典型输入电容值@Vds  937 pF @ 100V  
  典型栅极电荷@Vgs  29 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.01mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  E Series  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  147 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  380 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

SIHP12N60E-GE3配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

SIHP12N60E-GE3相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.51mm  Vishay 长度 10.51mm  MOSFET 晶体管 长度 10.51mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.51mm   尺寸 10.51 x 4.65 x 9.01mm  Vishay 尺寸 10.51 x 4.65 x 9.01mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.51 x 4.65 x 9.01mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.51 x 4.65 x 9.01mm   典型关断延迟时间 35 ns  Vishay 典型关断延迟时间 35 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns   典型接通延迟时间 14 ns  Vishay 典型接通延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns   典型输入电容值@Vds 937 pF @ 100V  Vishay 典型输入电容值@Vds 937 pF @ 100V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 937 pF @ 100V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 937 pF @ 100V   典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Vishay 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 9.01mm  Vishay 高度 9.01mm  MOSFET 晶体管 高度 9.01mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 9.01mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.65mm  Vishay 宽度 4.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.65mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4.65mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 E Series  Vishay 系列 E Series  MOSFET 晶体管 系列 E Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 E Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 147 W  Vishay 最大功率耗散 147 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 147 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 147 W   最大连续漏极电流 12 A  Vishay 最大连续漏极电流 12 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A   最大漏源电压 600 V  Vishay 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 380 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 380 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 380 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 380 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Vishay 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP12N60E-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

RoHS: Compliant

搜索
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Unidentified

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Tape and Reel (Alt: SIHP12N60E-GE3)

RoHS: Not Compliant

搜索
  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO220AB

搜索
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220AB-3

搜索
  新加坡1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
  美国6号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP12N60E-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

搜索
SIHP12N60E-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SIHP12N60E-GE3|VISHAYSIHP12N60E-GE3
VISHAY		E-系列 N 沟道 600 V 0.38 Ohm 法兰安装 高压 功率 MOSfet - TO-220AB
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SIHP12N60E-GE3|VISHAYSIHP12N60E-GE3
VISHAY		E-系列 N 沟道 600 V 0.38 Ohm 法兰安装 高压 功率 MOSfet - TO-220AB
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
SIHP12N60E-GE3|VISHAY SILICONIXSIHP12N60E-GE3
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET N沟道 600V 12A TO220AB
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Vishay Siliconix - SIHP12N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB

型号：SIHP12N60E-GE3
仓库库存编号：SIHP12N60E-GE3-ND
别名：SIHP12N60E-GE3CT <br>SIHP12N60E-GE3CT-ND <br>

无铅		搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SIHP12N60E-GE3 - Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
SIHP12N60E-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9428
搜索
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIHP12N60E-GE3
VISHAY SIHP12N60E-GE3		2283637

VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V

 (EN)		搜索
SIHP12N60E-GE3
VISHAY SIHP12N60E-GE3		2459332

VISHAY

MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220AB-3

 (EN)		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIHP12N60E-GE3产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示