SiHG30N60E-GE3,787-9421,Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Vishay

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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：: SiHG30N60E-GE3
制造商：: Vishay Vishay
库存编号：: 787-9421

Vishay

Vishay SiHG30N60E-GE3

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SIHG30N60E-GE3 库存编号:68W7051	Vishay Intertechnologies	N-CHANNEL 600V - Bulk (Alt: 68W7051)	0 1起订	1+ 1000+	￥47.96 ￥42.3	1-2周询价	询价
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SIHG30N60E-GE3 库存编号:2364082	Vishay Intertechnologies	, MOSFET, N, 600V, 29A, TO-247	578 1起订	1+ 10+ 100+ 500+ 1000+	￥53.15 ￥44.6 ￥42.52 ￥40.44 ￥38.37	1-2周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTQmUE49MjM2NDA4Mg=="],"cvcModel":["SIHG30N60E-GE3"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,10,100,500,1000,"],"cvcPriceAll":["53.15,44.6,42.52,40.44,38.37,"],"maxnum":["578"],"minnum":["1"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"], 查看资料

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SIHG30N60E-GE3 库存编号:SIHG30N60E-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC	10000 50起订	50+ 100+ 500+ 1000+	￥64.15 ￥46.84 ￥41.48 ￥39.01	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTYmUE49U0lIRzMwTjYwRS1HRTM="],"cvcModel":["SIHG30N60E-GE3"],"cvcBrand":["Vishay Intertechnologies"],"cvcNumberAll":["50,100,500,1000,"],"cvcPriceAll":["64.15,46.84,41.48,39.01,"],"maxnum":["10000"],"minnum":["50"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

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SIHG30N60E-GE3	Vishay Siliconix		180 1起订	1+ 37+ 156+	￥191.57 ￥118.14 ￥105.37	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["SIHG30N60E-GE3"],"cvcBrand":[" Vishay Siliconix "],"cvcNumberAll":["1,37,156,"],"cvcPriceAll":["191.57,118.14,105.37,"],"maxnum":["180"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

SiHG30N60E-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。它们提供各种电流额定值。典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点

低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗

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安装类型通孔 Vishay 安装类型通孔 MOSFET 晶体管安装类型通孔 Vishay MOSFET 晶体管安装类型通孔长度 15.87mm Vishay 长度 15.87mm MOSFET 晶体管长度 15.87mm Vishay MOSFET 晶体管长度 15.87mm 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm Vishay 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm MOSFET 晶体管尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm Vishay MOSFET 晶体管尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm 典型关断延迟时间 63 ns Vishay 典型关断延迟时间 63 ns MOSFET 晶体管典型关断延迟时间 63 ns Vishay MOSFET 晶体管典型关断延迟时间 63 ns 典型接通延迟时间 19 ns Vishay 典型接通延迟时间 19 ns MOSFET 晶体管典型接通延迟时间 19 ns Vishay MOSFET 晶体管典型接通延迟时间 19 ns 典型输入电容值@Vds 2600 pF@ 10 V Vishay 典型输入电容值@Vds 2600 pF@ 10 V MOSFET 晶体管典型输入电容值@Vds 2600 pF@ 10 V Vishay MOSFET 晶体管典型输入电容值@Vds 2600 pF@ 10 V 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V Vishay 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V MOSFET 晶体管典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V Vishay MOSFET 晶体管典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V 封装类型 TO-247AC Vishay 封装类型 TO-247AC MOSFET 晶体管封装类型 TO-247AC Vishay MOSFET 晶体管封装类型 TO-247AC 高度 20.82mm Vishay 高度 20.82mm MOSFET 晶体管高度 20.82mm Vishay MOSFET 晶体管高度 20.82mm 晶体管材料 Si Vishay 晶体管材料 Si MOSFET 晶体管晶体管材料 Si Vishay MOSFET 晶体管晶体管材料 Si 晶体管配置单 Vishay 晶体管配置单 MOSFET 晶体管晶体管配置单 Vishay MOSFET 晶体管晶体管配置单宽度 5.31mm Vishay 宽度 5.31mm MOSFET 晶体管宽度 5.31mm Vishay MOSFET 晶体管宽度 5.31mm 类别功率 MOSFET Vishay 类别功率 MOSFET MOSFET 晶体管类别功率 MOSFET Vishay MOSFET 晶体管类别功率 MOSFET 每片芯片元件数目 1 Vishay 每片芯片元件数目 1 MOSFET 晶体管每片芯片元件数目 1 Vishay MOSFET 晶体管每片芯片元件数目 1 通道类型 N Vishay 通道类型 N MOSFET 晶体管通道类型 N Vishay MOSFET 晶体管通道类型 N 通道模式增强 Vishay 通道模式增强 MOSFET 晶体管通道模式增强 Vishay MOSFET 晶体管通道模式增强系列 E Series Vishay 系列 E Series MOSFET 晶体管系列 E Series Vishay MOSFET 晶体管系列 E Series 引脚数目 3 Vishay 引脚数目 3 MOSFET 晶体管引脚数目 3 Vishay MOSFET 晶体管引脚数目 3 最大功率耗散 250 W Vishay 最大功率耗散 250 W MOSFET 晶体管最大功率耗散 250 W Vishay MOSFET 晶体管最大功率耗散 250 W 最大连续漏极电流 29 A Vishay 最大连续漏极电流 29 A MOSFET 晶体管最大连续漏极电流 29 A Vishay MOSFET 晶体管最大连续漏极电流 29 A 最大漏源电压 600 V Vishay 最大漏源电压 600 V MOSFET 晶体管最大漏源电压 600 V Vishay MOSFET 晶体管最大漏源电压 600 V 最大漏源电阻值 125 mΩ Vishay 最大漏源电阻值 125 mΩ MOSFET 晶体管最大漏源电阻值 125 mΩ Vishay MOSFET 晶体管最大漏源电阻值 125 mΩ 最大栅源电压 ±20 V Vishay 最大栅源电压 ±20 V MOSFET 晶体管最大栅源电压 ±20 V Vishay MOSFET 晶体管最大栅源电压 ±20 V 最低工作温度 -55 °C Vishay 最低工作温度 -55 °C MOSFET 晶体管最低工作温度 -55 °C Vishay MOSFET 晶体管最低工作温度 -55 °C 最高工作温度 +150 °C Vishay 最高工作温度 +150 °C MOSFET 晶体管最高工作温度 +150 °C Vishay MOSFET 晶体管最高工作温度 +150 °C 最小栅阈值电压 2V Vishay 最小栅阈值电压 2V MOSFET 晶体管最小栅阈值电压 2V Vishay MOSFET 晶体管最小栅阈值电压 2V

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MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

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MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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MOSFET N-Channel 600V

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC (Alt: SIHG30N60E-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Tape and Reel (Alt: SIHG30N60E-GE3)

RoHS: Not Compliant

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型号	制造商	描述	操作
SIHG30N60E-GE3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC RoHS: Compliant	搜索
SIHG30N60E-GE3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC RoHS: Compliant	搜索
SIHG30N60E-GE3 [更多]	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC RoHS: Compliant	搜索

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MOSFET, N CHANNEL, 600V, 29A, TO-247AC-3

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MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-247

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E-Series N-Channel 600 V 250 W 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet-TO-247AC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC 详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC 型号：SIHG30N60E-GE3 仓库库存编号：SIHG30N60E-GE3-ND	无铅	搜索

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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：
SiHG30N60E-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	SIHG30N60E-GE3 VISHAY	N 沟道 600 V 0.125 Ohm 250 W 法兰安装功率 Mosfet - TO-247AC	查价格库存查看详细
	SIHG30N60E-GE3 VISHAY SILICONIX	MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS 暂无PDF	查价格库存查看详细

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
SIHG30N60E-GE3	2364082	VISHAY 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V (EN)	搜索
SIHG30N60E-GE3	2311561	VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AC-3 (EN)	搜索

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	SIHG30N60E-GE3 VISHAY	N 沟道 600 V 0.125 Ohm 250 W 法兰安装功率 Mosfet - TO-247AC	查价格库存查看详细

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SiHG30N60E-GE3产品技术参数资料

SiHG30N60E, E Series Power MOSFET Data Sheet

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