SiHG30N60E-GE3,787-9421,Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Vishay
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：
SiHG30N60E-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9421
Vishay SiHG30N60E-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SiHG30N60E-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点

低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗

SiHG30N60E-GE3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.82mm  
  典型关断延迟时间  63 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  2600 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  85 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  20.82mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.31mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  E Series  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  250 W  
  最大连续漏极电流  29 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SiHG30N60E-GE3产品技术参数资料

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