SISA12DN-T1-GE3,787-9402,Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SISA12DN-T1-GE3, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装 ,Vishay
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Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SISA12DN-T1-GE3, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装

制造商零件编号:
SISA12DN-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
787-9402
Vishay SISA12DN-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SISA12DN-T1-GE3产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

SISA12DN-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.4mm  
  尺寸  3.4 x 3.4 x 1.12mm  
  典型输入电容值@Vds  2070 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  29.5 nC @ 10 V  
  封装类型  PowerPAK 1212  
  高度  1.12mm  
  宽度  3.4mm  
  类别  Trench MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大连续漏极电流  22 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  4.4 mΩ  
  最大栅源电压  10 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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SISA12DN-T1-GE3产品技术参数资料

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