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安装类型	表面贴装
长度	3.4mm
尺寸	3.4 x 3.4 x 1.12mm
典型输入电容值@Vds	2070 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	29.5 nC @ 10 V
封装类型	PowerPAK 1212
高度	1.12mm
宽度	3.4mm
类别	Trench MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大连续漏极电流	22 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	4.4 mΩ
最大栅源电压	10 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.4mm  Vishay 长度 3.4mm  MOSFET 晶体管 长度 3.4mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 3.4mm   尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm  Vishay 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm   典型输入电容值@Vds 2070 pF @ 15 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 2070 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2070 pF @ 15 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2070 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 29.5 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 29.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29.5 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29.5 nC @ 10 V   封装类型 PowerPAK 1212  Vishay 封装类型 PowerPAK 1212  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK 1212  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK 1212   高度 1.12mm  Vishay 高度 1.12mm  MOSFET 晶体管 高度 1.12mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.12mm   宽度 3.4mm  Vishay 宽度 3.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.4mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 3.4mm   类别 Trench MOSFET  Vishay 类别 Trench MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET   每片芯片元件数目 2  Vishay 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Vishay 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大连续漏极电流 22 A  Vishay 最大连续漏极电流 22 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 22 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 22 A   最大漏源电压 30 V  Vishay 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 4.4 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 4.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.4 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.4 mΩ   最大栅源电压 10 V  Vishay 最大栅源电压 10 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 10 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• SiSA12DN, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet