SIRA02DP-T1-GE3,787-9361,Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装 ,Vishay
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SIRA02DP-T1-GE3
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
制造商零件编号:
SIRA02DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
787-9361
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SIRA02DP-T1-GE3产品详细信息
N 通道 MOSFET,TrenchFET Gen IV,Vishay Semiconductor
SIRA02DP-T1-GE3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.25mm
尺寸
6.25 x 5.26 x 1.12mm
典型关断延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
31 ns
典型输入电容值@Vds
6150 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
78 nC @ 10 V
封装类型
PowerPAK SO
高度
1.12mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.26mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
TrenchFET
引脚数目
8
最大功率耗散
71.4 W
最大连续漏极电流
50 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
2.7 mΩ
最大栅源电压
-16 V,20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1.1V
关键词
SIRA02DP-T1-GE3相关搜索
安装类型 表面贴装
Vishay 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.25mm
Vishay 长度 6.25mm
MOSFET 晶体管 长度 6.25mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.25mm
尺寸 6.25 x 5.26 x 1.12mm
Vishay 尺寸 6.25 x 5.26 x 1.12mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.25 x 5.26 x 1.12mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.25 x 5.26 x 1.12mm
典型关断延迟时间 42 ns
Vishay 典型关断延迟时间 42 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 31 ns
Vishay 典型接通延迟时间 31 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 31 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 31 ns
典型输入电容值@Vds 6150 pF @ 15 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 6150 pF @ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6150 pF @ 15 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6150 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V
封装类型 PowerPAK SO
Vishay 封装类型 PowerPAK SO
MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK SO
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK SO
高度 1.12mm
Vishay 高度 1.12mm
MOSFET 晶体管 高度 1.12mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.12mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.26mm
Vishay 宽度 5.26mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.26mm
Vishay MOSFET 晶体管 宽度 5.26mm
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 TrenchFET
Vishay 系列 TrenchFET
MOSFET 晶体管 系列 TrenchFET
Vishay MOSFET 晶体管 系列 TrenchFET
引脚数目 8
Vishay 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 71.4 W
Vishay 最大功率耗散 71.4 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 71.4 W
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最大连续漏极电流 50 A
Vishay 最大连续漏极电流 50 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A
Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A
最大漏源电压 30 V
Vishay 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 2.7 mΩ
Vishay 最大漏源电阻值 2.7 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.7 mΩ
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最大栅源电压 -16 V,20 V
Vishay 最大栅源电压 -16 V,20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -16 V,20 V
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最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Vishay 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 1.1V
Vishay 最小栅阈值电压 1.1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V
Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V
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SIRA02DP-T1-GE3产品技术参数资料
SiRA02DP, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
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