SIRA02DP-T1-GE3,787-9361,Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装 ,Vishay
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装

制造商零件编号:
SIRA02DP-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
787-9361
Vishay SIRA02DP-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SIRA02DP-T1-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET,TrenchFET Gen IV,Vishay Semiconductor

SIRA02DP-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.25mm  
  尺寸  6.25 x 5.26 x 1.12mm  
  典型关断延迟时间  42 ns  
  典型接通延迟时间  31 ns  
  典型输入电容值@Vds  6150 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  78 nC @ 10 V  
  封装类型  PowerPAK SO  
  高度  1.12mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.26mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TrenchFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  71.4 W  
  最大连续漏极电流  50 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  2.7 mΩ  
  最大栅源电压  -16 V,20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIRA02DP-T1-GE3产品技术参数资料

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