SIA445EDJ-T1-GE3,787-9285,Vishay Si P沟道 MOSFET SIA445EDJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET SIA445EDJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装

制造商零件编号：
SIA445EDJ-T1-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9285
Vishay SIA445EDJ-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-66569
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SIA445EDJ-T1-GE3
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-63000
3000起订		3000+
6000+
9000+
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SIA445EDJ-T1-GE3
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel (Alt: SIA445EDJ-T1-GE3)9000
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:87806918		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R0
3000起订		3000+
￥5.27
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:66385963		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R0
139起订		139+
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:2283656		 Vishay Intertechnologies , MOSFET P, 20V, SC-703028
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SIA445EDJ-T1-GE3
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-700
3000起订		3000+
￥2.75
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies Transistor: P-MOSFET, TrenchFET?, unipolar, -20V, -12A, Idm: -50A0
3000起订		3000+
￥4.26
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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix  
498
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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies  
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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies  
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(工作日)		 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:2567403P		 Vishay Intertechnologies Single P-Ch PPAK Mosfet, RL3000
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SIA445EDJ-T1-GE3
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SIA445EDJ-T1-GE3
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SIA445EDJ-T1-GE3产品详细信息

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor

SIA445EDJ-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.7 x 0.8mm  
  典型关断延迟时间  60 ns  
  典型接通延迟时间  25 ns  
  典型输入电容值@Vds  2130 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  23 nC @ 4.5 V  
  封装类型  PowerPAK SC-70  
  高度  0.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  19 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  30 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.5V  
关键词         

SIA445EDJ-T1-GE3相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.7mm  Vishay 长度 1.7mm  MOSFET 晶体管 长度 1.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 1.7mm   尺寸 1.7 x 1.7 x 0.8mm  Vishay 尺寸 1.7 x 1.7 x 0.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.7 x 0.8mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.7 x 0.8mm   典型关断延迟时间 60 ns  Vishay 典型关断延迟时间 60 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 60 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 60 ns   典型接通延迟时间 25 ns  Vishay 典型接通延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns   典型输入电容值@Vds 2130 pF @ -10 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 2130 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2130 pF @ -10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2130 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 4.5 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 4.5 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 4.5 V   封装类型 PowerPAK SC-70  Vishay 封装类型 PowerPAK SC-70  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK SC-70  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK SC-70   高度 0.8mm  Vishay 高度 0.8mm  MOSFET 晶体管 高度 0.8mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 0.8mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.7mm  Vishay 宽度 1.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  Vishay 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 19 W  Vishay 最大功率耗散 19 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 19 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 19 W   最大连续漏极电流 12 A  Vishay 最大连续漏极电流 12 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A   最大漏源电压 20 V  Vishay 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 30 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 30 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 30 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 30 mΩ   最大栅源电压 ±12 V  Vishay 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.5V  Vishay 最小栅阈值电压 0.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  
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型号 制造商 描述 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 11.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA445EDJ-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 11.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R (Alt: SIA445EDJ-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET P-CH, 20V, SC-70

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Vishay Siliconix - SIA445EDJ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 12A SC-70		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单

型号：SIA445EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA445EDJ-T1-GE3CT <br>

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SIA445EDJ-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSIA445EDJ-T1-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET P-CH 20V SC-70
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SIA445EDJ-T1-GE3 - Vishay Si P沟道 MOSFET SIA445EDJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
制造商零件编号：
SIA445EDJ-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9285
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3		2283656

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0135 ohm, -4.5 V, -500 mV

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SIA445EDJ-T1-GE3|Vishay SiliconixSIA445EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 20V SC-70
Rohs

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIA445EDJ-T1-GE3产品技术参数资料

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