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安装类型	表面贴装
长度	1.5mm
尺寸	1.5 x 1 x 0.31mm
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	20 ns
典型输入电容值@Vds	1840 pF @ -6 V
典型栅极电荷@Vgs	43 nC @ 10 V
封装类型	微型支脚
高度	0.31mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	TrenchFET
引脚数目	6
最大功率耗散	13 W
最大连续漏极电流	16 A
最大漏源电压	12 V
最大漏源电阻值	92 mΩ
最大栅源电压	±10 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.4V
关键词

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• Si8483DB, P-Channel 12V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet