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安装类型	表面贴装
长度	3.4mm
尺寸	3.4 x 3.4 x 1.12mm
典型关断延迟时间	85 ns
典型接通延迟时间	41 ns
典型输入电容值@Vds	5590 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	122 nC @ 10 V
封装类型	PowerPAK 1212
高度	1.12mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.4mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	52 W
最大连续漏极电流	35 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	9.8 mΩ
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.4V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.4mm  Vishay 长度 3.4mm  MOSFET 晶体管 长度 3.4mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 3.4mm   尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm  Vishay 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm   典型关断延迟时间 85 ns  Vishay 典型关断延迟时间 85 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns   典型接通延迟时间 41 ns  Vishay 典型接通延迟时间 41 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 41 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 41 ns   典型输入电容值@Vds 5590 pF @ -10 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 5590 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5590 pF @ -10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5590 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 122 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 122 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 122 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 122 nC @ 10 V   封装类型 PowerPAK 1212  Vishay 封装类型 PowerPAK 1212  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK 1212  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK 1212   高度 1.12mm  Vishay 高度 1.12mm  MOSFET 晶体管 高度 1.12mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.12mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.4mm  Vishay 宽度 3.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.4mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 3.4mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Vishay 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 52 W  Vishay 最大功率耗散 52 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 52 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 52 W   最大连续漏极电流 35 A  Vishay 最大连续漏极电流 35 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 35 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 35 A   最大漏源电压 20 V  Vishay 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 9.8 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 9.8 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 9.8 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 9.8 mΩ   最大栅源电压 ±12 V  Vishay 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Vishay 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  

• Si7615ADN, P-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet