SI4554DY-T1-GE3,787-9238,Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4554DY-T1-GE3, 8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装 ,Vishay
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Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4554DY-T1-GE3, 8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
SI4554DY-T1-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9238
Vishay SI4554DY-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SI4554DY-T1-GE3产品详细信息

双 N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor

SI4554DY-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  17 ns, 50 ns  
  典型接通延迟时间  11 (N) ns, 42 (P) ns  
  典型输入电容值@Vds  690 pF@ 20 V, 2000 pF@ -20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13.3 nC @ 10 V, 41.5 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N，P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  3.2 W  
  最大连续漏极电流  8 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  27 mΩ, 34 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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SI4554DY-T1-GE3配套附件

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4554DY-T1-GE3产品技术参数资料

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