SiHG14N50D-GE3,787-9213,Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Vishay
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：
SiHG14N50D-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9213
Vishay SiHG14N50D-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SIHG14N50D-GE3
库存编号:SIHG14N50D-GE3-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC486
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SIHG14N50D-GE3
库存编号:2283630		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 500V, 14A, TO-247AC601
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SIHG14N50D-GE3
库存编号:SIHG14N50D-GE3		 Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 500V, 9A, Idm: 38A, 208W, TO247AC0
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SIHG14N50D-GE3 Vishay Siliconix POWER, FET700
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SIHG14N50D-GE3 Vishay Intertechnologies POWER, FET675
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SiHG14N50D-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor

SiHG14N50D-GE3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.82mm  
  典型关断延迟时间  29 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  1144 pF@ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  29 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  20.82mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.31mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  D Series  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  208 W  
  最大连续漏极电流  14 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  400 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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SiHG14N50D-GE3相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.87mm  Vishay 长度 15.87mm  MOSFET 晶体管 长度 15.87mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 15.87mm   尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm  Vishay 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm   典型关断延迟时间 29 ns  Vishay 典型关断延迟时间 29 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns   典型接通延迟时间 16 ns  Vishay 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 1144 pF@ 100 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 1144 pF@ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1144 pF@ 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1144 pF@ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V   封装类型 TO-247AC  Vishay 封装类型 TO-247AC  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC   高度 20.82mm  Vishay 高度 20.82mm  MOSFET 晶体管 高度 20.82mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 20.82mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.31mm  Vishay 宽度 5.31mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 D Series  Vishay 系列 D Series  MOSFET 晶体管 系列 D Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 D Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 208 W  Vishay 最大功率耗散 208 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 208 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 208 W   最大连续漏极电流 14 A  Vishay 最大连续漏极电流 14 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A   最大漏源电压 500 V  Vishay 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 400 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 400 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Vishay 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Vishay 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
SIHG14N50D-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIHG14N50D-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V

RoHS: Compliant

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SIHG14N50D-GE3
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Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin TO-247AC - Tape and Reel (Alt: SIHG14N50D-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SIHG14N50D-GE3
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Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

RoHS: Compliant

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SIHG14N50D-GE3
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Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

RoHS: Compliant

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SIHG14N50D-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

RoHS: Compliant

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SIHG14N50D-GE3
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MOSFET, N-CH, 500V, 14A, TO-247AC

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SIHG14N50D-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

N Channel 500 V 400 mO 208 W Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIHG14N50D-GE3|VISHAY SILICONIXSIHG14N50D-GE3
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET N沟道 500V 14A TO-247AC
Rohs

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Vishay Siliconix - SIHG14N50D-GE3 - MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC

型号：SIHG14N50D-GE3
仓库库存编号：SIHG14N50D-GE3-ND

无铅		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SiHG14N50D-GE3 - Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号：
SiHG14N50D-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9213
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SIHG14N50D-GE3|VISHAY SILICONIXSIHG14N50D-GE3
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET N沟道 500V 14A TO-247AC
Rohs

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SiHG14N50D-GE3产品技术参数资料

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