SiHF18N50D-E3,787-9204,Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF18N50D-E3, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Vishay
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF18N50D-E3, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号：
SiHF18N50D-E3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9204
Vishay SiHF18N50D-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SIHF18N50D-E3
库存编号:742-SIHF18N50D-E3-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 18A TO220360
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SIHF18N50D-E3
库存编号:2283629		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 500V, 18A, TO-220FP1324
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SIHF18N50D-E3
库存编号:SIHF18N50D-E3		 Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 500V, 11A, Idm: 53A, 39W, TO220FP0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SIHF18N50D-E3 Vishay Siliconix  
600
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SiHF18N50D-E3产品详细信息

N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor

SiHF18N50D-E3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.63mm  
  尺寸  10.63 x 4.83 x 9.8mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  1500 pF@ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  38 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  9.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  D Series  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  39 W  
  最大连续漏极电流  18 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  280 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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SiHF18N50D-E3配套附件

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安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.63mm  Vishay 长度 10.63mm  MOSFET 晶体管 长度 10.63mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.63mm   尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm  Vishay 尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm   典型关断延迟时间 36 ns  Vishay 典型关断延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns   典型接通延迟时间 19 ns  Vishay 典型接通延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns   典型输入电容值@Vds 1500 pF@ 100 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 1500 pF@ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1500 pF@ 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1500 pF@ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FP  Vishay 封装类型 TO-220FP  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 9.8mm  Vishay 高度 9.8mm  MOSFET 晶体管 高度 9.8mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 9.8mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Vishay 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 D Series  Vishay 系列 D Series  MOSFET 晶体管 系列 D Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 D Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 39 W  Vishay 最大功率耗散 39 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 39 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 39 W   最大连续漏极电流 18 A  Vishay 最大连续漏极电流 18 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 18 A   最大漏源电压 500 V  Vishay 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 280 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 280 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 280 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 280 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Vishay 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Vishay 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
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型号 制造商 描述 操作
SIHF18N50D-E3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SIHF18N50D-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 500V 280mOhm@10V 18A N-Ch D-SRS

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIHF18N50D-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin TO-220 Full-Pak - Tape and Reel (Alt: SIHF18N50D-E3)

RoHS: Not Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIHF18N50D-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 500V, 18A, TO-220FP

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Vishay Siliconix - SIHF18N50D-E3 - MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包

型号：SIHF18N50D-E3
仓库库存编号：SIHF18N50D-E3-ND
别名：SIHF18N50DE3 <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIHF18N50D-E3
VISHAY SIHF18N50D-E3		2283629

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SIHF18N50D-E3|Vishay SiliconixSIHF18N50D-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SiHF18N50D-E3 - Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF18N50D-E3, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号：
SiHF18N50D-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9204
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SIHF18N50D-E3|VISHAY SILICONIXSIHF18N50D-E3
VISHAY SILICONIX		MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
Rohs

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SiHF18N50D-E3产品技术参数资料

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