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安装类型	通孔
长度	16.1mm
尺寸	16.1 x 5.3 x 20.8mm
典型关断延迟时间	79 ns
典型接通延迟时间	33 ns
典型输入电容值@Vds	3233 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	83 nC @ 10 V
封装类型	Super-247
高度	20.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	446 W
最大连续漏极电流	36 A
最大漏源电压	500 V
最大漏源电阻值	130 mΩ
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

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• SiHS36N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet