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安装类型	通孔
长度	15.87mm
尺寸	15.87 x 5.31 x 20.82mm
典型关断延迟时间	47 ns
典型接通延迟时间	21 ns
典型输入电容值@Vds	1938 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	49 nC @ 10 V
封装类型	TO-247AC
高度	20.82mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.31mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	D Series
引脚数目	3
最大功率耗散	312 W
最大连续漏极电流	22 A
最大漏源电压	500 V
最大漏源电阻值	230 mΩ
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

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• SiHG22N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet