SIHP5N50D-GE3,787-9184,Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
SIHP5N50D-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9184
Vishay SIHP5N50D-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SIHP5N50D-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor

SIHP5N50D-GE3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.51mm  
  尺寸  10.51 x 4.65 x 9.01mm  
  典型关断延迟时间  14 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  325 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.01mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  D Series  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  104 W  
  最大连续漏极电流  5.3 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  1.5 Ω  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
关键词         

SIHP5N50D-GE3配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

SIHP5N50D-GE3相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.51mm  Vishay 长度 10.51mm  MOSFET 晶体管 长度 10.51mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.51mm   尺寸 10.51 x 4.65 x 9.01mm  Vishay 尺寸 10.51 x 4.65 x 9.01mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.51 x 4.65 x 9.01mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.51 x 4.65 x 9.01mm   典型关断延迟时间 14 ns  Vishay 典型关断延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns   典型接通延迟时间 12 ns  Vishay 典型接通延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns   典型输入电容值@Vds 325 pF @ 100 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 325 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 325 pF @ 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 325 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Vishay 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 9.01mm  Vishay 高度 9.01mm  MOSFET 晶体管 高度 9.01mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 9.01mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.65mm  Vishay 宽度 4.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.65mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4.65mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 D Series  Vishay 系列 D Series  MOSFET 晶体管 系列 D Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 D Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 104 W  Vishay 最大功率耗散 104 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 104 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 104 W   最大连续漏极电流 5.3 A  Vishay 最大连续漏极电流 5.3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.3 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.3 A   最大漏源电压 500 V  Vishay 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 1.5 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 1.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.5 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.5 Ω   最大栅源电压 ±30 V  Vishay 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Vishay 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIHP5N50D-GE3产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号