SIHG25N40D-GE3,787-9169,Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Vishay
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SIHG25N40D-GE3
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号:
SIHG25N40D-GE3
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
787-9169
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SIHG25N40D-GE3产品详细信息
N 通道 MOSFET,D 系列高电压,Vishay Semiconductor
SIHG25N40D-GE3产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.87mm
尺寸
15.87 x 5.31 x 20.82mm
典型关断延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
21 ns
典型输入电容值@Vds
1707 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
44.4 nC @ 10 V
封装类型
TO-247AC
高度
20.82mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.31mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
D Series
引脚数目
3
最大功率耗散
278 W
最大连续漏极电流
25 A
最大漏源电压
400 V
最大漏源电阻值
170 mΩ
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
3V
关键词
SIHG25N40D-GE3相关搜索
安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.87mm
Vishay 长度 15.87mm
MOSFET 晶体管 长度 15.87mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 15.87mm
尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm
Vishay 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm
MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.82mm
典型关断延迟时间 40 ns
Vishay 典型关断延迟时间 40 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 21 ns
Vishay 典型接通延迟时间 21 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns
典型输入电容值@Vds 1707 pF@ 10 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 1707 pF@ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1707 pF@ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1707 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs 44.4 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 44.4 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 44.4 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 44.4 nC @ 10 V
封装类型 TO-247AC
Vishay 封装类型 TO-247AC
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC
高度 20.82mm
Vishay 高度 20.82mm
MOSFET 晶体管 高度 20.82mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 20.82mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.31mm
Vishay 宽度 5.31mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm
Vishay MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm
类别 功率 MOSFET
Vishay 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 D Series
Vishay 系列 D Series
MOSFET 晶体管 系列 D Series
Vishay MOSFET 晶体管 系列 D Series
引脚数目 3
Vishay 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 278 W
Vishay 最大功率耗散 278 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 278 W
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最大连续漏极电流 25 A
Vishay 最大连续漏极电流 25 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 25 A
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最大漏源电压 400 V
Vishay 最大漏源电压 400 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 400 V
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最大漏源电阻值 170 mΩ
Vishay 最大漏源电阻值 170 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 170 mΩ
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最大栅源电压 ±30 V
Vishay 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Vishay 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 3V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V
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