SIHG17N60D-GE3,787-9165,Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG17N60D-GE3, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Vishay
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG17N60D-GE3, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号:
SIHG17N60D-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
787-9165
Vishay SIHG17N60D-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SIHG17N60D-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET,D 系列高电压,Vishay Semiconductor

SIHG17N60D-GE3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.82mm  
  典型关断延迟时间  37 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  1780 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  45.6 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  20.82mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.31mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  D Series  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  277.8 W  
  最大连续漏极电流  17 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  340 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIHG17N60D-GE3产品技术参数资料

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