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安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.38mm
典型关断延迟时间	11 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	175 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	6 nC @ 10 V
封装类型	TO-252
高度	2.38mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	D Series
引脚数目	3
最大功率耗散	104 W
最大连续漏极电流	3 A
最大漏源电压	500 V
最大漏源电阻值	3.2 Ω
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Vishay 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm   典型关断延迟时间 11 ns  Vishay 典型关断延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 11 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 11 ns   典型接通延迟时间 12 ns  Vishay 典型接通延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns   典型输入电容值@Vds 175 pF@ 10 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 175 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 175 pF@ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 175 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Vishay 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.38mm  Vishay 高度 2.38mm  MOSFET 晶体管 高度 2.38mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.38mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Vishay 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 D Series  Vishay 系列 D Series  MOSFET 晶体管 系列 D Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 D Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 104 W  Vishay 最大功率耗散 104 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 104 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 104 W   最大连续漏极电流 3 A  Vishay 最大连续漏极电流 3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A   最大漏源电压 500 V  Vishay 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 3.2 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 3.2 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.2 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.2 Ω   最大栅源电压 ±30 V  Vishay 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Vishay 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  

• SiHD3N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet