SI7949DP-T1-E3,787-9011,Vishay Si P沟道 MOSFET SI7949DP-T1-E3, 12.5 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7949DP-T1-E3, 12.5 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装

制造商零件编号：
SI7949DP-T1-E3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
787-9011
Vishay SI7949DP-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SI7949DP-T1-E3产品详细信息

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor

SI7949DP-T1-E3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.25mm  
  尺寸  6.25 x 5.26 x 1.12mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  17 ns  
  典型栅极电荷@Vgs  34 nC @ 10 V  
  封装类型  PowerPAK SO  
  高度  1.12mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.26mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  5.2 W  
  最大连续漏极电流  12.5 A  
  最大漏源电压  80 V  
  最大漏源电阻值  16.5 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
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SI7949DP-T1-E3产品技术参数资料

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