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安装类型	表面贴装
长度	1.68mm
尺寸	1.68 x 0.86 x 0.8mm
典型关断延迟时间	26 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	43 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	1.3 nC @ 8 V
封装类型	SC-75A
高度	0.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	0.86mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	240 mW
最大连续漏极电流	630 mA
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	1.1 Ω
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.4V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.68mm  Vishay 长度 1.68mm  MOSFET 晶体管 长度 1.68mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 1.68mm   尺寸 1.68 x 0.86 x 0.8mm  Vishay 尺寸 1.68 x 0.86 x 0.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.68 x 0.86 x 0.8mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 1.68 x 0.86 x 0.8mm   典型关断延迟时间 26 ns  Vishay 典型关断延迟时间 26 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 26 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 26 ns   典型接通延迟时间 11 ns  Vishay 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 43 pF@ 10 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 43 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 43 pF@ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 43 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 8 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 8 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 8 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 8 V   封装类型 SC-75A  Vishay 封装类型 SC-75A  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-75A  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 SC-75A   高度 0.8mm  Vishay 高度 0.8mm  MOSFET 晶体管 高度 0.8mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 0.8mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.86mm  Vishay 宽度 0.86mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.86mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 0.86mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 240 mW  Vishay 最大功率耗散 240 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 240 mW  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 240 mW   最大连续漏极电流 630 mA  Vishay 最大连续漏极电流 630 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 630 mA  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 630 mA   最大漏源电压 20 V  Vishay 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 1.1 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 1.1 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.1 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.1 Ω   最大栅源电压 ±8 V  Vishay 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Vishay 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  

• Si1012CR, N-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet