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安装类型	表面贴装
长度	4.9mm
尺寸	4.9 x 5.9 x 0.95mm
典型关断延迟时间	39 ns
典型接通延迟时间	8 ns
典型输入电容值@Vds	1200 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	9.2 nC @ 4.5 V
封装类型	HSO8-F4-B
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.9mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	SK
引脚数目	8
最大功率耗散	19 W
最大连续漏极电流	39 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	6.7 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+85 °C
关键词

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• SK8603180L, Silicon N-channel MOSFET for Load-switching / for DC-DC Converter