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安装类型	表面贴装
长度	3.05mm
尺寸	3.05 x 3.05 x 0.95mm
典型关断延迟时间	48 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	2100 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	17 nC @ 4.5 V
封装类型	HSSO8-F1-B
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.05mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	SK
引脚数目	8
最大功率耗散	24.6 W
最大连续漏极电流	59 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	3.9 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+85 °C
关键词

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• SK8403170L, Silicon N-channel MOSFET for Load-switching / for DC-DC Converter