FC6A21060L,787-7611,Panasonic 双 N沟道 MOSFET 晶体管 FC6A21060L, 6引脚 MBGA封装 ,Panasonic
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FC6A21060L
Panasonic 双 N沟道 MOSFET 晶体管 FC6A21060L, 6引脚 MBGA封装
制造商零件编号:
FC6A21060L
制造商:
Panasonic
Panasonic
库存编号:
787-7611
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FC6A21060L产品详细信息
N 通道双 MOSFET,Panasonic
FC6A21060L产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.32mm
尺寸
2.32 x 1.67 x 0.2mm
典型关断延迟时间
3.5 μs
典型接通延迟时间
5.2 μs
典型输入电容值@Vds
2300 pF
典型栅极电荷@Vgs
30 nC @ 4 V
封装类型
MBGA
高度
0.2mm
宽度
1.67mm
类别
小信号
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
消耗
引脚数目
6
最大功率耗散
450 mW
最大栅阈值电压
1.4V
最大栅源电压
±12 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
FC6A21060L相关搜索
安装类型 表面贴装
Panasonic 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Panasonic MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.32mm
Panasonic 长度 2.32mm
MOSFET 晶体管 长度 2.32mm
Panasonic MOSFET 晶体管 长度 2.32mm
尺寸 2.32 x 1.67 x 0.2mm
Panasonic 尺寸 2.32 x 1.67 x 0.2mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2.32 x 1.67 x 0.2mm
Panasonic MOSFET 晶体管 尺寸 2.32 x 1.67 x 0.2mm
典型关断延迟时间 3.5 μs
Panasonic 典型关断延迟时间 3.5 μs
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 3.5 μs
Panasonic MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 3.5 μs
典型接通延迟时间 5.2 μs
Panasonic 典型接通延迟时间 5.2 μs
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.2 μs
Panasonic MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.2 μs
典型输入电容值@Vds 2300 pF
Panasonic 典型输入电容值@Vds 2300 pF
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2300 pF
Panasonic MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2300 pF
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4 V
Panasonic 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4 V
Panasonic MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4 V
封装类型 MBGA
Panasonic 封装类型 MBGA
MOSFET 晶体管 封装类型 MBGA
Panasonic MOSFET 晶体管 封装类型 MBGA
高度 0.2mm
Panasonic 高度 0.2mm
MOSFET 晶体管 高度 0.2mm
Panasonic MOSFET 晶体管 高度 0.2mm
宽度 1.67mm
Panasonic 宽度 1.67mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.67mm
Panasonic MOSFET 晶体管 宽度 1.67mm
类别 小信号
Panasonic 类别 小信号
MOSFET 晶体管 类别 小信号
Panasonic MOSFET 晶体管 类别 小信号
每片芯片元件数目 2
Panasonic 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
Panasonic MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
Panasonic 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Panasonic MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 消耗
Panasonic 通道模式 消耗
MOSFET 晶体管 通道模式 消耗
Panasonic MOSFET 晶体管 通道模式 消耗
引脚数目 6
Panasonic 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
Panasonic MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 450 mW
Panasonic 最大功率耗散 450 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 450 mW
Panasonic MOSFET 晶体管 最大功率耗散 450 mW
最大栅阈值电压 1.4V
Panasonic 最大栅阈值电压 1.4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.4V
Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.4V
最大栅源电压 ±12 V
Panasonic 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
最高工作温度 +150 °C
Panasonic 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Panasonic MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
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FC6A21060L产品技术参数资料
FC6A21060L, Gate Resistor Installed Dual N-Channel MOSFET for Lithium-Ion Secondary Battery Protection Circuits
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