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安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型关断延迟时间	24 ns
典型接通延迟时间	9.5 ns
典型输入电容值@Vds	232 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	8 nC @ 10 V
封装类型	DPAK
高度	2.4mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.2mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh M2
引脚数目	3
最大功率耗散	60 W
最大连续漏极电流	4.5 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	1.2 Ω
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.6mm  STMicroelectronics 长度 6.6mm  MOSFET 晶体管 长度 6.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 6.6mm   尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm   典型关断延迟时间 24 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 24 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 24 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 24 ns   典型接通延迟时间 9.5 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 9.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns   典型输入电容值@Vds 232 pF@ 10 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 232 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 232 pF@ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 232 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  STMicroelectronics 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.4mm  STMicroelectronics 高度 2.4mm  MOSFET 晶体管 高度 2.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 2.4mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.2mm  STMicroelectronics 宽度 6.2mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh M2  STMicroelectronics 系列 MDmesh M2  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh M2  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh M2   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 60 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 60 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 60 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 60 W   最大连续漏极电流 4.5 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 4.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.5 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.5 A   最大漏源电压 650 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 1.2 Ω  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 1.2 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 Ω  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 Ω   最大栅阈值电压 4V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• STB6N60M2, STD6N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET