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安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 3.7 x 1.8mm
典型关断延迟时间	22.2 ns
典型接通延迟时间	8.1 ns
典型输入电容值@Vds	400 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	18.3 nC @ 10 V
封装类型	SOT-223
高度	1.8mm
宽度	3.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	1 W
最大连续漏极电流	2.8 A
最大漏源电压	55 V
最大漏源电阻值	75 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 表面贴装  International Rectifier 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  International Rectifier MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  International Rectifier 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  International Rectifier 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm   典型关断延迟时间 22.2 ns  International Rectifier 典型关断延迟时间 22.2 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 22.2 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 22.2 ns   典型接通延迟时间 8.1 ns  International Rectifier 典型接通延迟时间 8.1 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.1 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.1 ns   典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  International Rectifier 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 18.3 nC @ 10 V  International Rectifier 典型栅极电荷@Vgs 18.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 18.3 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 18.3 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  International Rectifier 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  International Rectifier MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.8mm  International Rectifier 高度 1.8mm  MOSFET 晶体管 高度 1.8mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 高度 1.8mm   宽度 3.7mm  International Rectifier 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   类别 功率 MOSFET  International Rectifier 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  International Rectifier 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  International Rectifier MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  International Rectifier 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  International Rectifier 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  International Rectifier 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  International Rectifier MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1 W  International Rectifier 最大功率耗散 1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W   最大连续漏极电流 2.8 A  International Rectifier 最大连续漏极电流 2.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.8 A  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.8 A   最大漏源电压 55 V  International Rectifier 最大漏源电压 55 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V   最大漏源电阻值 75 mΩ  International Rectifier 最大漏源电阻值 75 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 75 mΩ  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 75 mΩ   最大栅阈值电压 4V  International Rectifier 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  International Rectifier 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  International Rectifier 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  International Rectifier 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• AUIRFL024N HEXFET Power MOSFET Data Sheet