IRFR825PBF,784-8966,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR825PBF, 6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR825PBF, 6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRFR825PBF
库存编号:
784-8966
Infineon IRFR825PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRFR825PBF产品详细信息

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon

电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

IRFR825PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  8.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  1346 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  34 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  119 W  
  最大连续漏极电流  6 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  1.3 Ω  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFR825PBF产品技术参数资料

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