IRFR5410PBF,784-0303,Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5410PBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5410PBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRFR5410PBF
库存编号:
784-0303
Infineon IRFR5410PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRFR5410PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 2.39 x 6.22mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  760 pF@ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  58 nC  
  封装类型  DPAK  
  高度  6.22mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.39mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  66 W  
  最大连续漏极电流  13 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  205 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFR5410PBF配套附件

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IRFR5410PBF相关搜索

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IRFR5410PBF产品技术参数资料

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