IRFR5410PBF,784-0303,Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5410PBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装 ,Infineon
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IRFR5410PBF
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5410PBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
IRFR5410PBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
784-0303
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFR5410PBF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 2.39 x 6.22mm
典型关断延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
典型输入电容值@Vds
760 pF@ -25 V
典型栅极电荷@Vgs
58 nC
封装类型
DPAK
高度
6.22mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
2.39mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
系列
HEXFET
引脚数目
3
最大功率耗散
66 W
最大连续漏极电流
13 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
205 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IRFR5410PBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.73mm
Infineon 长度 6.73mm
MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm
Infineon 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm
典型关断延迟时间 45 ns
Infineon 典型关断延迟时间 45 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 15 ns
Infineon 典型接通延迟时间 15 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns
典型输入电容值@Vds 760 pF@ -25 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 760 pF@ -25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 760 pF@ -25 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 760 pF@ -25 V
典型栅极电荷@Vgs 58 nC
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 58 nC
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 58 nC
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 58 nC
封装类型 DPAK
Infineon 封装类型 DPAK
MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
高度 6.22mm
Infineon 高度 6.22mm
MOSFET 晶体管 高度 6.22mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 6.22mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.39mm
Infineon 宽度 2.39mm
MOSFET 晶体管 宽度 2.39mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 2.39mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 P
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MOSFET 晶体管 通道类型 P
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通道模式 增强
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系列 HEXFET
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引脚数目 3
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MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 66 W
Infineon 最大功率耗散 66 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 66 W
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最大连续漏极电流 13 A
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最大漏源电压 100 V
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最大漏源电阻值 205 mΩ
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最大栅阈值电压 4V
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
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最大栅源电压 ±20 V
Infineon 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
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MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最小栅阈值电压 2V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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IRFR5410PBF产品技术参数资料
IRFR5410PbF, IRFU5410PbF, HEXFET Power MOSFET
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