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安装类型	表面贴装
长度	8mm
尺寸	8 x 8 x 0.95mm
典型关断延迟时间	56 ns
典型接通延迟时间	56 ns
典型输入电容值@Vds	2670 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	62 nC @ 10 V
封装类型	PowerFLAT HV
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	8mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh M5
引脚数目	5
最大功率耗散	2.8 W
最大连续漏极电流	22 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	90 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±25 V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

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• STL36N55M5 N-channel V Power MOSFET Data Sheet