STL36N55M5,783-3113,STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装

制造商零件编号:
STL36N55M5
库存编号:
783-3113
STMicroelectronics STL36N55M5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STL36N55M5产品详细信息

N 通道 MDmesh? M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

STL36N55M5产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  8mm  
  尺寸  8 x 8 x 0.95mm  
  典型关断延迟时间  56 ns  
  典型接通延迟时间  56 ns  
  典型输入电容值@Vds  2670 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  62 nC @ 10 V  
  封装类型  PowerFLAT HV  
  高度  0.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  8mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh M5  
  引脚数目  5  
  最大功率耗散  2.8 W  
  最大连续漏极电流  22 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  90 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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STL36N55M5产品技术参数资料

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