STB18N65M5,783-3034,STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
STB18N65M5
库存编号：
783-3034
STMicroelectronics STB18N65M5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STB18N65M5产品详细信息

N 通道 MDmesh? M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

STB18N65M5产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 9.35 x 4.6mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  36 ns  
  典型输入电容值@Vds  1240 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  31 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh M5  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  110 W  
  最大连续漏极电流  15 A  
  最大漏源电压  710 V  
  最大漏源电阻值  220 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
关键词         

STB18N65M5配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

STB18N65M5相关搜索

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm   典型关断延迟时间 36 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns   典型接通延迟时间 36 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 36 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 36 ns   典型输入电容值@Vds 1240 pF@ 10 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1240 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1240 pF@ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1240 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  STMicroelectronics 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.6mm  STMicroelectronics 高度 4.6mm  MOSFET 晶体管 高度 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.6mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.35mm  STMicroelectronics 宽度 9.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.35mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 9.35mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh M5  STMicroelectronics 系列 MDmesh M5  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh M5  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh M5   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 110 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 110 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 110 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 110 W   最大连续漏极电流 15 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 15 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 15 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 15 A   最大漏源电压 710 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 710 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 710 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 710 V   最大漏源电阻值 220 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 220 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 220 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 220 mΩ   最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

STB18N65M5产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号