STW31N65M5,783-2961,STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW31N65M5, 22 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW31N65M5, 22 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
STW31N65M5
库存编号：
783-2961
STMicroelectronics STW31N65M5
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STW31N65M5
库存编号:497-STW31N65M5-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 22A TO2470
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STW31N65M5
库存编号:511-STW31N65M5		 STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5588
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STW31N65M5
库存编号:STW31N65M5		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: STW31N65M5)0
600起订		600+
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STW31N65M5
库存编号:85540315		STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube1200
600起订		600+
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STW31N65M5
库存编号:STW31N65M5		 STMicroelectronics Transistor: N-MOSFET, MDmesh? V, unipolar, 650V, 13.9A, 150W, TO2470
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STW31N65M5产品详细信息

N 通道 MDmesh? M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

STW31N65M5产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.75mm  
  尺寸  15.75 x 5.15 x 20.15mm  
  典型关断延迟时间  46 ns  
  典型接通延迟时间  46 ns  
  典型输入电容值@Vds  1865 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  45 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.15mm  
  宽度  5.15mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh M5  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  150 W  
  最大连续漏极电流  22 A  
  最大漏源电压  710 V  
  最大漏源电阻值  148 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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STW31N65M5配套附件

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安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.75mm  STMicroelectronics 长度 15.75mm  MOSFET 晶体管 长度 15.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 15.75mm   尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm  STMicroelectronics 尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm   典型关断延迟时间 46 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 46 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 46 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 46 ns   典型接通延迟时间 46 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 46 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 46 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 46 ns   典型输入电容值@Vds 1865 pF@ 10 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1865 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1865 pF@ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1865 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  STMicroelectronics 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 20.15mm  STMicroelectronics 高度 20.15mm  MOSFET 晶体管 高度 20.15mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 20.15mm   宽度 5.15mm  STMicroelectronics 宽度 5.15mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.15mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 5.15mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh M5  STMicroelectronics 系列 MDmesh M5  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh M5  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh M5   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 150 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 150 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W   最大连续漏极电流 22 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 22 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 22 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 22 A   最大漏源电压 710 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 710 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 710 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 710 V   最大漏源电阻值 148 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 148 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 148 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 148 mΩ   最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
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MOSFET N-CH 650V 22A TO-247

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MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube (Alt: STW31N65M5)

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Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: STW31N65M5)

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 650V, 13.9A, 150W, TO247-3

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STW31N65M5|STMicroelectronicsSTW31N65M5
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
Rohs

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STMicroelectronics - STW31N65M5 - MOSFET N-CH 650V 22A TO-247		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 150W（Tc） TO-247

型号：STW31N65M5
仓库库存编号：497-13122-5-ND
别名：497-13122-5 <br>

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STMicroelectronics - STW31N65M5 - STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW31N65M5, 22 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号：
STW31N65M5
品牌：
STMicroelectronics
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STW31N65M5产品技术参数资料

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