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安装类型	通孔
长度	15.9mm
尺寸	15.9 x 5.3 x 20.3mm
典型关断延迟时间	372 ns
典型接通延迟时间	45 ns
典型输入电容值@Vds	9600 pF@ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	330 nC @ 10 V
封装类型	Max247
高度	20.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh
引脚数目	3
最大功率耗散	625 W
最大连续漏极电流	98 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	29 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• STY100NM60N N-channel Power MOSFET Data Sheet